本文利用Ａｕｇｅｒ分析技术和Ｃ－Ｖ测量方法，详细地研究了ＰＥＣＶＤＳｉ３Ｎ４／ＩｎＰ界面特性，Ａｕｇｅｒ能谱分析表明热处理使界面面发生互扩散，同时ＩｎＰ的热分解导致Ｐ元素穿过Ｓｉ３Ｎ４薄膜到达表面。......