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高频等离子体阴极氧化铝膜表面结构的AES研究
用俄歇电子能谱研究了高频等离子体阳极氧化铝膜的表面结构与氧暴露量之间的函数关系。在氧化温度为350℃,氧暴露量为100L时,观察到与氧化有......
期刊
铝膜
等离子体
氧化
俄歇电子谱
氧化铝
Al-film
Plasma oxidation
AES.
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