ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......

以原子比Al:Sb:Te=0.7:2:3的混和粉为原料,采用真空合成法与烧结-热等静压制备Al0.7Sb2Te3三元靶材,通过XRD、FESEM、EDS、XPS等手......

Al-Sb-Te相变薄膜与CMOS兼容性高,热稳定性佳,所以能很好满足相变存储器高温稳定工作的需求。以原子比Al:Sb:Te=0.7:2:3的混合粉为......