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Al2O3衬底相关论文

GaN/Al<,2>O<,3>衬底上ZnO纳米棒的水热法生长

ZnO是一种重要的直接宽禁带II–VI族半导体材料,室温下的禁带宽度是3.37eV,激子束缚能大约是60meV,它在光电器件、化学和生物传感......

学位

水热法 ZnO纳米棒生长显微结构生长机理光学光谱(光致发光和拉曼光谱)

蓝宝石基GaN薄膜热疲劳分析

首先建立了数值模型分析工作中LED芯片的界面剪应力,根据线性累积损伤理论、Ga N薄膜和Al2O3衬底的S-N曲线及随季节变化的载荷谱,......

期刊

GaN薄膜 Al2O3衬底剪应力疲劳损伤系数 S-N曲线

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