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AlN形核层相关论文
Si衬底GaN外延材料六角形缺陷分析
通过改变AlN形核层的生长温度分别在Si(111)衬底上生长了两个GaN样品,并对GaN外延材料表面的六角形缺陷进行了分析研究。通过显微......
期刊
GaN
六角形缺陷
AlN形核层
温度
Si衬底
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