研究了Ar+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面的损伤,并用湿法腐蚀后处理消除损伤.Ar+刻蚀后InGaAs表面均方根粗糙度较小,而n-InP和p-I......

为了研究TiO2氧空位形成的影响因素,用管式电阻炉在空气、Ar及不同温度下对TiO2烧结.采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）和X射线......

Ar＋刻蚀应用于聚合物的深度剖析中时，通常会造成聚合物表面结构的损伤，从而无法得到真实的聚合物结构信息。本实验结合X射线光电子能......