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Cl、Br、I卤族元素掺杂As_5Se_(95)膜中静电复印残余电位的研究
我们采用静电复印谱的方法研究了 As_5Se_(95)膜中掺杂 Br、Cl、I 后对残余电位的影响,结果如下:1.As_5Se_(95)薄膜中掺杂 Cl、Br......
期刊
卤族元素
Br
Cl
As_5Se
静电复印
残余电位
电位降
无定形
变价对
载流子寿命
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