BSIMSOI相关论文
CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术应用要求我们持续地改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型.基于此,美国Berkel......
介绍了SOI技术的优势和器件建模的意义.针对0.35μm SOI CMOS工艺的开发,设计了用于建模的测试芯片.对于SOI MOSFET中存在的自加热......
CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术应用要求我们持续地改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型．基于此，美国Berkeley......
基于BSIMSOI模型研究了深亚微米级部分耗尽型绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(PD SOI MOSFET)器件的自加热效应、体接触效......
