在高速钢基片和〈１００〉单晶硅片上，用多弧法在Ｃ２Ｈ２，Ｎ２，Ａｒ的气氛中电弧蒸发Ｔｉ靶来制备沉积Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）膜。总气压在１．２Ｐａ内，起始镀膜温度为２６０℃。Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）膜的晶格取向以除了〈１１１〉......