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低温光CVD-SiO_2及SiN薄膜的研究
本文介绍了在低温(50~200℃)条件下,用光CVD技术制备SiO_2及SiN薄膜的工艺方法.讨论了某些工艺参数与薄膜性质的一些关系,并对光CVD......
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