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Si1-x Gex:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响
用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-x Gex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱......
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Ge薄膜
Si1-xGex
C缓冲层
化学气相淀积
生长温度
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