目前，MOSFET的特征尺寸已经进入亚100nm量级，短沟效应、DIBL(漏致势垒降低)效应等因素的影响越来越严重，器件继续按比例缩小将面临更......

对一种新型半绝缘SOIMOS器件的阈值电压进行建模,该器件采用源漏注氧OISD技术,具有优良的自加热效应抑制能力和耐压特性.由于沟道......

基于量子力学非平衡Green函数理论框架,在开放边界条件下,通过自洽求解三维Poisson和Schrodinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的石......

SiC材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优良特性,这些特性决定了它在高温、大功率、高频和抗辐照......

文章提出了高k+SiO2栅FD-SOI （fully depleted silicon-on-insulator） MOSFET,开发了它的二维亚阈值区前栅表面电势、阈值电压和DIBL......

随着Si基MOSFET向着纳米级的不断发展,器件的尺寸也在不断的缩小,这将逐渐接近Si基材料的物理极限。必须采用新型材料来解决Si基材......

随着Si CMOS工艺的发展,MOS器件已进入纳米尺寸,并逐渐接近其物理极限。必须采用新型衬底材料和新型结构来解决进一步缩小Si基MOS......