超深亚微米器件相关论文
随着沟道长度的不断缩小,其中的电场增加、迁移率退化、带间隧穿、杂质涨落等效应将严重影响器件的性能.对于MOSFET工作原理的分析......
目前，MOSFET的特征尺寸已经进入亚100nm量级，短沟效应、DIBL(漏致势垒降低)效应等因素的影响越来越严重，器件继续按比例缩小将面临更......
随着军事和航天电子技术的发展，空间环境和电子技术的关系越来越密切，辐射会导致器件和电路性能的退化，甚至是彻底的失效，从而带来巨大......
随着航天事业的快速发展，人们对太空航天器的稳定运行越来越关注，单粒子效应（SEE）对太空航天器微电路的正常工作影响很大，特别是其中的......
20世纪的两大发明集成电路和航天科技深深地改变了人们的生活。航天科技开启了人类的太空之旅，集成电路则使得人们步入“芯”时代。......
随着集成电路的发展和制造工艺的进步，半导体器件特征尺寸急剧减小至超深亚微米甚至纳米尺度。尺寸缩小带来了低功耗、高速度等优点......
目前，对于MOSFET工作原理的分析和模拟已逐渐开始在经典、准经典模型的基础上考虑各种量子效应、隧道效应，因此如何准确建立深亚微米......
对适用于超深亚微米电路模拟的MOSFET器件模型进行了研究,完成计入量子效应、多晶硅耗尽效应等基于BSIM3的MOSFET模型.针对阈值电......
随着航天电子技术的发展,空间环境和电子技术的关系越来越密切。辐照会导致器件性能的退化,甚至是彻底的失效。总剂量效应是导致器......
