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用N<sub>2</sub>-H<sub>2</sub>等离子体氮化GaAs衬底对ECR-PEMOCVD生长立方GaN的影响(英文)
我们研究了采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积 (ECR PEMOCVE)技术在GaAs( 0 0 1 )衬底上外延生长立方GaN的过程中......
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