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4H-Si<sub>1-y</sub>C<sub>y</sub>合金的生长及特性
用化学气相淀积(CVD)法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测......
期刊
化学气相淀积
4H-Si1-yCy合金
电化学腐蚀电容电压
载流子浓度分布
CVD
4H-Si1-yCy alloy
ECV-profile
carrier c
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