GaAs基相关论文
GaAs是PHEMT材料的有源区是由应变InGaAs层构成,其沟道中电子的平均饱和速度和电子浓度均随铟组份的变化而变化,然后,随着铟组份的......
本论文介绍了一种新型的纳机电(NEMS)声传感器,该声传感器是基于GaAs/AlAs/InGaAs共振隧穿结构(RTS)介观压阻效应所设计的悬臂式结......
微纳机电系统(M/NEMS)发展的目标在于提高微型化、集成化、探索新原理、新功能的器件和系统,开辟一个新技术领域和产业。基于MEMS......
近日,由半导体所半导体超晶格国家重点实验室牛智川研究员承担的GaAs基近红外波段半导体光电子材料生长和激光器研究项目获得重要突......
GaAs基980 nm半导体激光器在材料加工、通信和医疗等领域有着重要应用。应变量子阱结构的出现提高了GaAs基半导体激光器的转换效率......