INP基相关论文
本文主要从生长环境的不同和晶格失配所产生的应力这两方面总结了InP基上InAs纳米结构产生不同构型的原因,以便能够更好的利用和开......
基于InGaAs/InP材料的雪崩二极管探测器工作响应波段范围0.9～1.67μm,在盖革模式下探测效率较高,具有单光子量级的灵敏度,通过配置......
InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有高的电子迁移率、极低的噪声系数，高功率增益，低功耗等特点，是毫米波单片集成电路和低噪声放大器......
介绍了InP基应变补偿MQW的研究进展 ,对应变补偿和非应变补偿MQW的特性做了对比。讨论了InP基应变补偿MQW存在的问题及如何优化InP......
反响的通道二极管(RTD ) 和高电子活动性晶体管(HEMT ) 的整体的集成是一个重要发展方向超离频速度集成电路。一种 top-RTD 和 bot......
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发光波长位于2～3μm波段的高性能半导体激光光源因可以广泛应用于气体探测、超长距离无中继通信、生物医学等领域而成为人们研究的......
本文概述InP基HEMT与HBT器件与电路，在微波与毫米微波范围由于低噪声．功率应用的优越性能。而Inp基器件与电路在高速光通信和高频无......
用０．１μｍ赝配ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＧａＡｓ－ＩｎＰ ＨＥＭＴ技术研制了覆盖整个Ｗ波段（７５￣１１０ＧＨｚ）的单片平衡放大器。该放大器首次成功地制得７５到１１０ＧＨｚ的增益为２３±３ｄＢ，具有良好的反射损耗。这种放大器在......
制备了InP基近红外波段量子线激光器,在改变注入条件的室温连续电致发光谱测试中,观察到了不同于带填充效应的谱型变化.低激励时,......
本文报道了用于制造超高速集成电路的０．１μｍ栅长ＩｎＰ基ＨＥＭＴ器件技术。该技术主要包括非合金欧姆接触和具有高重复性和均匀性的Ｔ型栅技术。作为该......
本文用不同的发射极宽度和长度与集电极电流Ｉｃ和集电极－发射极间电压ＶＣＥ的函数关系研究了集电区含ＩｎＧａＡｓＰ层、基区为Ｚｎ高掺杂的小尺寸ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＤＨＢＴ的高频性能。......
阐述了InP基高功率短波长量子级联激光器（QCL）的设计原理和设计方案。从有源区设计模型出发,介绍了器件的理想和实际载流子传输路径,......
利用分子束外延技术研制出InP基IhAs/In0.53Ga0.47As/AlAs共振隧穿二极管,其中势垒为10个单分子AlAs,势阱由8个单分子层In0.53Ga0.......
采用InP基衬底设计并制备了1550 nm垂直腔面发射激光器。采用混合镜面布拉格发射镜,其中顶部采用4.5对硅和二氧化硅的介电布拉格反......
目前ＧａＡｓ基低噪声ＨＥＭＴ，包括用ＤＢＳ的ＩｎＧａＡｓ／Ｎ－ＡｌＣａＡｓＰＨＥＭＴ已经商品化，且ＧａＡｓ基功率ＨＢＴ也将很快进入市场。尽管ＩｎＰ基ＨＥＭＴ或ＨＢＴ仍处于研究与发展阶段，但由于它们特殊的电性能，它们将有希望成......
激射波长为3-5um(大气窗口)的激光光源,一直是科研、民用和国防等领域的研究热点。其中4.6um光源是用来干扰热导导弹(heat seeking......
2～3微米波段半导体激光器在光谱分析、气体检测、医学检查等方面具有重要的应用。InP衬底上不含锑量子阱激光器与GaSb基含锑量子阱......
随着毫米波段电路在军事、太空领域的广泛应用,InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)由于具有电子迁移率高,适用频率范围广,噪声系数低,......
