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双能态Cr+注入法制备GaCrN铁磁性薄膜
采用双能态Cr+注入法结合样品的快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型、非掺杂和p型GaN薄膜样品表面注入相同剂量的Cr+,得到了厚度约......
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稀磁半导体
GaCrN
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