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GaInP层相关论文
MOCVD和GSMBE生长Ga0.5In0.5P外延层中有序结构的研究
用MOCVD在(100)、GSMBE在(100)和(111)BGaAs上生长了GalnP外延层,PL测试表明,(100)衬底上GaInPPL峰的能量比计算的带隙分别小43(GSMBE生长)和104meV(MOCVD生长),用Kurtz等人的模型对MOCVD和GSMBE生长的GgInP中有序度的不同进行了解释......
期刊
MOCVD
GSMBE
GaInP层
外延生长
有序结构
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