GaN基光电器件相关论文
随着科学技术的发展，许多领域对半导体材料性能的要求越来越高，于是出现了以GaN和SiC等一些二元、三元半导体化合物为代表的第三代半......
Ⅲ族氮化物材料是直接带隙半导体，其带隙宽度从0.7eV(InN)到6.2eV(AlN)连续可调，发光范围从近紫外到红外，覆盖了整个可见光波段，是制备......
在《半导体器件》课程中加强宽禁带半导体器件的教学是科学技术与国民经济快速发展对高等学校基本职能所提出的根本要求。本文阐述......
