GaN基高电子迁移率晶体管相关论文
使用ATLAS(silvaco)仿真软件研究了不同表面电荷对GaNHEMT器件输运性能的影响.通过改变表面正电荷浓度大小从1012cm-2增加至3×101......
作为第三代半导体材料代表的GaN材料,相对来说具有禁带宽度大、击穿场强高以及高电子密度和高的电子迁移率等优点,因此成为高温、......
可靠性问题是GaN基HEMT器件走向实用化的关键,逆压电效应导致器件退化是近年来比较引人瞩目的理论之一。对于GaN基HEMT器件,当其承......
