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采用热壁化学气相沉积工艺在Si(111)衬底上生长GaN晶体膜,并对其生长条件进行研究.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL......
采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜，氮化反应组装GaN晶体膜，并对其生长条件进行研究．用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)......
采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装GaN晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响.测试结果表明:采用......
采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN晶体膜,并对其生长条件进行研究.用XRD对样品进行了结构分析,测试......
