对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaxIn1-xP材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述，重点介绍了GaxIn1-xP材料的氢化物气相外延（HVPE）......

本文用波长色散型电子探针对ＧａＡｓ衬底上ＧａｘＩｎ１－ｘＰ混晶膜的元素组分进行了分析，为用ＳＥＭ－ＷＤＳ测定该类混晶膜材料作了一次试验。......

采用金属有机化合物气相外延技术（MOCVD）,在Ge衬底上生长Ga_xIn_（1-x）P外延层,探究不同生长温度对Ga_xIn_（1-x）P材料的无序生长特性的影......

随着科学技术的进步,Ⅲ-Ⅴ主族半导体及它们的混晶在材料物质的研究领域占有主导地位,具有重要的实际意义,这些半导体的技术应用范......