利用蓝绿激光对非晶态Ge2Sb2R5相变薄膜进行擦除性能的研究,分别用1000ns,500ns,100ns,60 ns脉宽的蓝绿激光进行实验.结果表明,一......

在传统的光学涂层中,实现干涉效应的薄膜厚度至少需要四分之一波长.然而,有报道称利用一种损耗比较高的材料做涂层,可以在薄膜厚度......

研究了６３２．８ｎｍ波长下适用的相变光盘介质Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的制备方法和静态光存诸记录特性，发现该薄膜可在１００ｎｓ条件下实现直接重写，在优化膜层结构后，写擦循环......

在衬底加热条件下利用磁控溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用X射线衍射仪表征各种沉积温度下薄膜的结构,差示扫描量热法(DSC)确定的薄......

采用射频磁控溅射方法制备了两种用于相变存储器的Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5相变薄膜材料,对其结构、电学输运性质和恒温下电阻随时间......

利用磁控溅射方法制备了Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5两种相变存贮材料的薄膜。原位X射线衍射（XRD）的结果表明，随着退火温度的升高，Ge1Sb2Te4......

利用椭偏仪和光谱仪研究了结晶程度对Ge2Sb2Te5相变薄膜光学常数的影响。当初始化仪转速固定时，随激光功率的增加，折射率基本随之减......