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LSI新工艺—H-MOSⅡ静态RAM比双极型器件更富于竞争力

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双极型器件 H-MOS LSI RAM 按比例缩小存取时间随机存取沟道沟道效应

H-MOS—缩小传统器件的尺寸以达到高性能水平

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器件 H-MOS 沟道长度性能水平高阈移位寄存器毫微秒电源电路集成度功能块

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