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HFET的陷阱相关论文
GaN HFET中的局域电子气和瞬态电流谱
比较了GaN体材料和GaN HFET中陷阱的不同行为,发现后一种陷阱不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释,由此建立起描述沟道电......
期刊
GAN
HFET的陷阱
瞬态电流谱
外沟道中的能带畸变
局域电子气
陷阱与局域电子气的相互作用
电流
traps in GaN HFETtransient cu
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