ICP刻蚀系统相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

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纳米尺度多晶硅微结构刻蚀研究

以HBr作为刻蚀气体,采用ICP金属刻蚀系统对气体流量、刻蚀压力、离子源功率、偏压功率等工艺参数与刻蚀速率、刻蚀选择比和侧壁垂......

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ICP刻蚀系统刻蚀速率选择比刻蚀形貌电子束光刻纳米尺度多晶硅线条

高密度RF等离子体刻蚀工艺直流自我偏压的研究

直流自我偏压作为高密度射频（RF）等离子体刻蚀工艺中的重要电学参数,反映出具有高能量的离子对待刻蚀晶片的轰击效果,后者决定了刻蚀......

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