IMPATT二极管相关论文
利用p型宽带隙材料SiC替代p型GaN,制作了一种p-SiC/n-GaN异质结双漂移(DDR)IMPATT二极管.对器件的交流大信号输出特性进行数值模拟......
研究了不同反向泄漏电流密度下的GaN基雪崩渡越时间(IMPATT)二极管大信号输出特性.仿真结果表明,IMPATT二极管的交流性能会随着反......
提出了一种In0.4Ga0.6N/GaN同型异质结构IMPATT二极管.传统GaN基IMPATT器件中存在P型GaN制造工艺不成熟的问题,本研究方案可成为Ga......
碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管是目前一种强大的微波频率固态源,在毫米波频段能产生较高的连续功率输出。IMPATT器件可用于3......
为了满足一种3mm雪崩渡越二极管的技术要求,改进了常压外延工艺,在PE-2061S硅外延设备上,实现了100mm硅片超薄外延层的生长。外延层厚......
太赫兹技术是一种新兴技术,在很多领域都有诱人的应用前景。太赫兹技术首先要解决的问题就是太赫兹辐射源,在半导体太赫兹辐射源中......
微波固态源器件的研究已经成为高功率器件研究的主要内容之一,随着科学技术发展的不断成熟,碰撞电离雪崩渡越时间二极管(IMPATT)作......
碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管在毫米波频段能产生最高连续功率的输出,具有良好的输出特性,是目前最强大的一种微波频率固态源。......