近年来对基于ＭＯＳ技术制造的离子散场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）的特性研究做了大量的工作。综述了ＩＳＦＥＴ器件（尤其是ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）在敏感机理、集成化、封装和应用等方面的......

<正> 离子敏场效应晶体管具有体积小、重量轻、响应快、输入阻抗高、输出阻抗低、可全固体化、易于实现多功能化等优点,受到国内外......