本文介绍了ＩＳＶ８６ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ二极管研制过程中为降低反向漏电所进行的理论分析。Ｓｃｈｏｔｔｋｙ终端结处的强场效应是产生漏电的主要原因，推算了无保护环Ｓｈｏｔｔｋｙ二极管终......