In(Cu)-N共掺相关硕士博士期刊学术论文

氧化锌ZnO是一种直接宽带隙半导体材料,其室温下带隙宽度为3.37e V,激子束缚能高达60 me V。随着ZnO单晶及薄膜制备工艺的不断完善......