热蒸发Zn、In2O3和C粉混合物，在没有催化剂的条件下制备出掺铟氧化锌纳米盘．纳米盘呈六边形或十二边形，均是结晶完好的纤锌矿结构的单......

以金属锌(Zn)和金属铟(In)为靶材采用射频反应共溅射技术在硅(100)衬底上沉积了In掺杂ZnO薄膜.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM......

自日本科学家Iijima^[1]于1991年发现碳纳米管以来，一维纳米结构的纳米棒、纳米线以及纳米管等由于在科学研究和工业应用方面的重要......

利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上成功制备了In掺杂的ZnO（ZnO∶In）薄膜。X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）的研究结果显示所制备的ZnO......

采用第一性原理和电子连续方程方法,研究了p层厚度和In的掺杂浓度对单结InxGa1-xN太阳电池性能的影响。计算结果表明:p层厚度从0.0......

通过射频反应溅射法在硅衬底上制备了具有c轴择优取向和小晶格失配的In掺杂ZnO薄膜．在室温下测量样品的光致发光(PL)光谱，观察到波长......

The In-doped CdTe/Si (p) heterostruture was fabricated and its electrical and photoelectrical properties were studied an......