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In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-Al_xGa_(1-x)N激活能的影响
Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN......
期刊
p-type Al_xGa_(1-x)N
In-ambient
activation energy
ultraviolet light-emitting dio
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