高击穿电压ＩｎＡＩＡｓ／ｎ￣＋－ＩｎＧａＡｓＨＦＥＴ最近报道了一种适于高压应用的ＩｎＰ基ＨＦＥＴ，它采用的是双应变外延结构。为了提高器件的击穿电压，采用了如下方法：①采用量子阶沟道，以......

１２０ＧＨｚＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡＩＡｓ／ＩｎＰＨＥＭＴＬＮＡ在雷达、辐射计、遥感和成象等系统的应用方面，Ｄ波段（１１０～１７０ＧＨＺ）高性能接收机的发展有着重要意义。据《ＩＥＥＥＭｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄＧ．Ｗ．Ｌ．）｝１９９４年第６期报道，Ｒ．Ｌａｉ... 120GHzInGaAs / InAIAs /......