InGaN背势垒相关硕士博士期刊学术论文

InGaN背势垒相关论文

报道了最大振荡频率为200 GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）.外延材料结构采用InGaN背势垒层来减小短沟道效......

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