日本东京工业大学教授细野秀雄与日本科学技术振兴机构组成的一个联合研究项目，日前使用开关特性(Switching Behaviour)比非晶硅与......

氧化物薄膜晶体管(Oxide Thin Film Transistors)具有高迁移率(>10cm2/Vs),制备工艺都在常温下进行,适合大规模生产,成本低,应用范......

铟镓锌氧化物(IGZO)材料是一种典型的透明金属氧化物半导体材料,因其具有优良的电学性能、光学性能以及稳定性而被广泛用于薄膜晶......

近年来,由于透明薄膜晶体管具有高迁移率(大于10 cm2/Vs)、低温工艺、能大面积生产、低成本等优点,已经引起了广泛的研究兴趣。而......