Jain-Roulston模型相关论文
硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGe HBT的设计具有重要的意义......
重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生禁带变窄效应(BGN).对于基区重掺杂Npn突变AlGaAs/GaAs HBT,BGN引起导带和价带突......
基于禁带变窄量在导带和价带之间的分布比例与掺杂浓度相关的Jain-Roulston模型，研究了重掺杂能带结构的变化对突变异质结HBT电流影......
基区重掺杂产生禁带变窄效应（BGN），从而导致HBT突变异质结界面的势垒高度发生改变，这会严重影响载流子的电流输运．该文基于Jain-Roulsto......
