采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了（001）,（101）和（111）面弛豫Si衬底上生长的应变Si1-xGex（x≤0.5）的能带结构模型,获得了其导带带边能级......

应变Si材料的能带结构是研究设计高速／高性能器件和电路的理论基础。采用结合形变势理论的K．P微扰法建立了（001）面弛豫Si1-xGex衬底上......