随着电子产品在人类社会中所占有市场的不断增长，电能的可使用性也变得越发的重要。然而，现有技术获得的电能中，75%以上的部分需由功......

射频功率放大器是射频集成电路发展的核心推动力，要求构成射频功放的射频器件具有高击穿电压、低导通电阻、高频率、尺寸小、工艺上......

LV/HV P-Well BCD[B]技术（1）能够实现低压5 V与高压100～700 V（或更高）兼容的BCD工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用源区为硼磷双......