LNA电路相关硕士博士期刊学术论文

从两种不同结构形式的部分耗尽器件性能研究入手，以０．６μｍＮＭＯＳ工艺为基础，设计并研制了在芯片内部具有高Ｑ值折平面电感的ＳＯＩ低噪声放大器电路。......