用低压－－金属有机化学气相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法生长了ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅ和ＺｎＴＥＳｅ－ＺｎＳｅ多量子阱。在生长室压力３８ｔｏｒｒ，衬底面积１９×２０ｍｍ＾２的ＧａＡｓ衬底上，生长１００周期的ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅＭＱＷｓ，经扫描电镜测量，生长不均匀性仅......