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LaTiO高k栅介质Ge MOS电容电特性及Ti含量优化
采用共反应溅射法将Ti添加到La2O3中,制备了LaTiO/Ge金属-氧化物-半导体电容,并就Ti含量对器件电特性的影响进行了仔细研究.由于Ti......
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