MESFET器件相关论文
本文在半绝缘4H-SiC衬底上成功制备出MESFET器件,并完成直流特性测试和交流小信号特性测试工作.共制备出3种结构尺寸的MESFET器件,......
本文研究了LEC SI-GsAs衬底上常见的两种缺陷,AB微缺陷和位错(AB腐蚀液显示出AB微缺陷,密度为10-10cm量级;KOH腐蚀液显示位错,密度......
用波长范围为 70 0～ 3 5 0 0 nm的光电流测试系统研究了 SI-Ga As衬底及其 MESFET器件中的深能级。结果显示在 SI-Ga As衬底及其 ME......
MESFET微波功率器件是金属-半导体场效应晶体管，它有GaAs和GaN基器件，由于其优良的迁移率以及优异的高频、大功率、低噪声性能，越来越......
学位
近年来，SiC功率半导体器件因其具有极好的电特性和物理性质而成为半导体界争先研究的热点项目之一。论文对目前SiC的多型体中综合性......
SiC材料由于具有大的禁带宽度、高的临界击穿电场、高的电子饱和速度以及高的热导率等性能，在高温、高功率、抗辐照等工作条件下具......
Trapping of hot electron behavior by trap centres located in buffer layer of a wurtzite phase GaN MESFET has been simula......
科锐公司宣布推出可适用于军用和商用S渡段雷达中的高效GaNHEMT晶体管。新型S波段GaNHEMT晶体管的额定功率为60W，频率为3．1—3．5GHz之......
用波长为７００～３５００ｍｍ的光电流测试系统研究了ＳＩ－ＧａＡｓ村谗及其ＭＥＳＦＥＴ器件中的深能级。结果显示在ＳＩ－ＧａＡｓ衬底及其ＭＥＳＦＥＴ器件中存在着相似的深能级，衬底的深能级影响着器件的......
临于器件模拟参数在电路模拟中的重要性，本文选择了较为理想的模型参数提取方法－－统计试验法，并从理论上解决了该方法在迭代求解过程中......
对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的工艺作了具体分析，认为模拟 的关键是要正确描述注入原子的激活率，适移率，载原子分布及再分布，针对这几个问题，以实验结果为依据......
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用低压金属有机气相外延(LP-MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料,并对材料进行Raman、光致发光(PL)谱的测试分析,结果表明......
