介绍了Mo2 C膜表面粗糙度的测量结果 ,引入晶粒边界修正 ,对Mo2 C膜的表面快速粗糙化现象给予理论解释 . The measurement result......

引入晶粒边界修正，改进了Ｍｏ２Ｃ膜表面粗糙化物理模型，将ＤＴ２模型推广到包括有温度的情况，对Ｍｏ２Ｃ膜表面形态进行计算机模拟并统计模拟图的高度分布，确......

介绍了用金属有机气相沉积(MOCVD)制备Mo2C膜的过程和对膜的颗粒粒径的测量结果,建立物理模型,导出粒子脱附激活能的计算公式,探讨......

引入晶粒边界修正，改进了Ｍｏ２Ｃ膜表面粗糙化物理模型，将ＤＴ２模型推广到包括有温度的情况对Ｍｏ２Ｃ膜表面形态进行计算机模拟并统计模拟图的高度分布，确......

介绍了Mo2C膜的制备过程和对其电阻率的测量结果,探索了其导电机理以及沉积时间、基底温度和生长过程对电阻率的影响.利用Gibbs函......

对以羰基金属气相沉积制备的Mo2C膜表面粗糙度进行了测量;在测量基础上进行统计,找出了表面高度分布并确定表面粗糙度随时间和温度......