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MOS(MIS)HEMT相关论文
AlGaN/GaN MOS(MIS)HEMT中电子迁移率及Ⅰ-Ⅴ输出特性
由于存在较强的自发和压电极化效应,即使在未掺杂时,AlGaN/GaN异质结构也可获得高浓度、高迁移率的二维电子气(2DEG),使其适合于制......
学位
光学声子散射
MOS(MIS)HEMT
电子—声子相互作用
电子迁移率
Ⅰ-Ⅴ特性
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