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分析了用金属有物气相外延方法（MOVPE）在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮（InGaN)的光致发光（PL）性质。发现在4．7K至300K范围内，随着温度升高，InGa......

用常夺ＭＯＶＰＥ系统，采用ＡｓＨ３、国产ＴＭＧａ和ＴＭＡｌ生长了Ａｌ０．３５Ｇａ０．６４５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱结构，在１１Ｋ下，宽度为１０Ａ的阱ＰＬ半峰宽最窄为１２ｍｅＶ，量子阱结构肯有陆嵴的界面，光致当我（ＰＬ）测试结果显示，较低的生长......