...

An analysis solution of rate equation is derived for vertical cavity surface-emitting lasers.Based on the enhanced spont......

本文提出了一种新型的MOCVD恒流配气系统，该配气系统可有效地稳定控制温度和压力等关键工艺条件，在多层复杂结构的生长中改善材料质......

ＺｎＳｅ０．９３Ｔｅ０．０７┐ＺｎＳｅ多量子阱的光泵受激发射＊于广友范希武张吉英杨宝均赵晓薇申德振（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）（中国科学院激发态物理开放研究实验......

利用方势阱模型对Inx Ga1-xN／GaN MQWs结构的光特性进行了量子力学定性理论分析．并在MO源流量恒定条件下，在570℃～640℃范围内进行了不......

用MOCVD方法生长了3种InGaAs/Al0.2Ga0.8As应变多量子阱（MQWs）样品，用于研究在气相中TMIn的含量对MQWs的发光波长和半峰宽（FWHM）以及在X......