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采用一维近似模型对上扩散I~2L电路npn管基区工艺参数进行了理论分析,并且给出了实验结果。实验结果与理论分析较好地符合,显示出......
研究了两种不同掺杂工艺的n-p-n型硅器件在^60Co的γ射线辐射前后产生的缺陷中心，讨论了它们在330～530K温度范围漂白对载流子相对浓......
研究了３种不同类型的ＢＪＴ硅晶体器件，经γ射线辐照，理化处理后，其反向截止电流，反向击穿电压，饱和压降，静态电流放大系数等电学参数的变化规律......
