采用Na助熔剂法在7MPa氮压下并引入较大温度梯度（20～70％／cm），获得了大量毫米级的CaN晶体，GaN晶体产率高达70％以上。光学及SEM照片显示其晶......

以高质量GaN单晶基片作为衬底实现GaN的同质外延生长,是获得GaN半导体器件优异性能的基础。高质量GaN单晶基片的缺乏已成为国际范......

以高质量GaN单晶基片作为衬底实现GaN的同质外延生长，是获得GaN半导体器件优异性能的基础。高质量GaN单晶基片的缺乏已成为国际范围......