利用磁控溅射方法制备了一系列Ta（x）/Ni81Fe19（100nm）/Ta（3nm）磁性薄膜。着重研究基片温度、缓冲层厚度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影......

以Y2O3作为Ni81Fe19薄膜的氧化插层，利用磁控溅射法制备了一系列不同插层厚度的Ni81Fe19薄膜样品Ta（4nm）/ Y2O3（t）/Ni81Fe19（20nm）/ Y2O3（t......

采用磁控溅射的方法制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻薄膜,分别将CoFe-NOL和Al2O3插层引入NiFe薄膜,研究纳米氧化层（NOL）对NiFe薄膜性能的影响......

利用磁控溅射方法制备了一系列超薄Ta（5nm）／Ni81Fel9（20nm）／Ta（3nm）磁性薄膜。着重研究了基片温度、缓冲层厚度对Ni81Fe19薄膜各相异性磁电......

采用电子束蒸发法在Si（111）基片上制备厚度约为100rim的Ni81Fe19薄膜，研究了基片温度对薄膜微观结构及磁性能的影响。结果表明，随着基......

为提升坡莫合金薄膜的应用价值，探索了在坡莫合金薄膜厚度尽可能薄的情况下，如何制备高各向异性磁电阻Ni81Fe19薄膜。利用磁控溅射，制......